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    叠阵半导体激光模组是LEHU乐虎光自主研发、设计、制造的高可靠性、高定制化的堆栈半导体激光器，采用可靠的封装技术以及低热阻结构的设计，可实现不同形式下的高占空比和高峰值功率输出。亦可多波长输出、宽温工作，可接受快轴压缩定制，全线产品接受792nm~818nm、940nm~960nm波长定制以及不同结构的定制。产品主要应用于泵浦源、材料加工、激光照明、医疗美容、科研应用等。

    中心波长λc（nm） 940 790~812
    中心波长范围δλc（nm） ±5 ±3
    每Bar输出功率（W） 100 100 200
    Bar数量 1~2 1~5 1~3
    Bar长度（mm） 10 10
    Bar间距（mm） 0.8 0.43 0.55
    中心波长λc（nm） 940 790~812
    中心波长范围δλc（nm） ±5 ±3
    每Bar输出功率（W） 100 100 200
    Bar数量 1~2 3~6 2~4
    Bar长度（mm） 10 10
    Bar间距（mm） 0.8 0.43 0.55
    中心波长λc（nm） 940 790~812
    中心波长范围δλc（nm） ±5 ±3
    每Bar输出功率（W） 100 100 200
    Bar数量 1~2 5~12 5~10
    Bar长度（mm） 10 10
    Bar间距（mm） 0.8 0.43 0.55
    中心波长λc（nm） 796~808
    中心波长范围δλc（nm） ±3
    每Bar输出功率（W） 180
    Bar数量 1~15
    Bar间距（mm） ~0.4
    中心波长λc（nm） 796~808
    中心波长范围δλc（nm） ±5
    每Bar输出功率（W） 200
    Bar数量 9
    Bar间距（mm） 0.6
    中心波长λc（nm） 808
    中心波长范围δλc（nm） ±10
    每Bar输出功率（W） 120
    Bar数量 4
    Bar间距（mm） 1.65
    中心波长λc（nm） 790~812
    中心波长范围δλc（nm） ±3
    每Bar输出功率（W） 100 200
    每组Bar数量 8 6
    Bar间距（mm） 0.43 0.55
    发光面积（mm×mm） 3×21 2.75×21
    组间距 （mm） 1
    组数量 2
    中心波长λc（nm） 790~812
    中心波长范围δλc（nm） ±3
    每Bar输出功率（W） 100 200
    每组Bar数量 8 6
    Bar间距（mm） 0.43 0.55
    发光面积（mm×mm） 3×32 2.75×32
    组间距 （mm） 1
    组数量 3
    中心波长λc（nm） 790~812
    中心波长范围δλc（nm） ±3
    每Bar输出功率（W） 100 200
    每组Bar数量 9 7
    Bar间距（mm） 0.43 0.55
    发光面积（mm×mm） 3.5×43 3.3×43
    组间距 （mm） 1
    组数量 4
    中心波长λc（nm） 790~812
    中心波长范围δλc（nm） ±3
    每Bar输出功率（W） 100 200
    每组Bar数量 1~4 1~3
    Bar间距（mm） 0.43 0.55
    中心波长λc（nm） 790~812
    中心波长范围δλc（nm） ±3
    每Bar输出功率（W） 100 200
    水平阵列组数 2
    水平阵列组间距（mm） 3
    每组Bar数量 1~4 1~3
    Bar间距（mm） 0.43 0.55
    中心波长λc（nm） 790~812
    中心波长范围δλc（nm） ±3
    每Bar输出功率（W） 100 200
    水平阵列组数 3
    水平阵列组间距（mm） 3
    每组Bar数量 1~4 1~3
    Bar间距（mm） 0.43 0.55
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